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元件参数资料
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参数目录49521
> IPP100P03P3L-04 MOSFET P-CH 30V 100A TO220-3
型号:
IPP100P03P3L-04
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET P-CH 30V 100A TO220-3
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IPP100P03P3L-04 PDF
产品变化通告
IP(B,I,P)100P03P3L-04 Discontinuation 14/Aug/2009
标准包装
500
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
100A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
4.3 毫欧 @ 80A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.1V @ 475µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
200nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
9300pF @ 25V
功率 - 最大
200W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
PG-TO220-3
包装
管件
其它名称
SP000311114
查看IPP100P03P3L-04代理商
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